Tek ve Çok kristalli Wafer Lifetime ölçüm cihazı. Sofistike malzeme araştırma ve geliştirme çalışmaları için önerilir

MDPmap’in Özellikleri

Duyarlılık: Gözle görünmeyen kusurların görselleştirilmesi ve epitaksiyel katmanların araştırılması için en yüksek hassasiyet

Ölçüm hızı: 6 inç Si gofret için < 5 dakika, 1 mm çözünürlük

Ömür aralığı: 20 ns ila birkaç ms

Kirlilik tayini: potalar ve ekipmanlardan kaynaklanan metal (Fe) kontaminasyonları

Ölçüm yeteneği: kesilmiş wafer’lardan tamamen işlenmiş numunelere kadar

Esneklik: sabit ölçüm kafası, harici lazerlerin tetik ile bağlanmasına izin verir

Güvenilirlik: Daha yüksek güvenilirlik ve çalışma süresi > %99 için modüler ve kompakt tezgah üstü cihaz

Tekrarlanabilirlik: > %99

Özdirenç: sık kalibrasyon olmadan özdirenç haritalaması

Configuration options

  • Spot size variation
  • Resistivity measurement (wafers)
  • Sheet resistance
  • Background/Bias light
  • Reflection measurement (MDP)
  • LBIC for solar cells
  • BiasMDP
  • Reference wafer
  • Internal/External iron mapping of Si
  • Integrated heating stage
  • Wide range of lasers