Bu ICPCVD proses modülü, düşük alttaş hasarı ile üstün film kalitesi sağlayan yüksek yoğunluklu remote plazma teknolojisi ile düşük büyütme sıcaklıklarında yüksek kaliteli filmler üretmek için tasarlanmıştır.

  • Mükemmel homojenlik, yüksek verim ve yüksek hassasiyetli prosesler
  • Yüksek kaliteli filmler
  • Geniş sıcaklık aralıklı elektrot
  • 200 mm’ye kadar tüm wafer boyutlarıyla uyumlu
  • Wafer boyutları arasında hızlı değişim
  • Düşük sahip olma maliyeti ve servis kolaylığı
  • Kompakt boyutlu, esnek yerleşim
  • 400°C veya 1200°C’ye kadar kapasiteye sahip dirençli ısıtmalı elektrotlar
  • Yerinde hazne temizleme 
  • Filmlerin sıvı prekürsör kullanarak kaplanmasını sağlayan esnek buhar dağıtım modülü, örn. TTIP kullanarak TiO2, TEOS kullanarak SiO2.